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                開關電源的損耗與效率計算

                文章出處:網責♀任編輯:作者:人氣:-發表時間:2013-11-25 17:00:00【

                  在開關電源中,如果沒哦有損耗,那效率就是100%,但這是粗口不可能的,BUCK型開關電源中主要的損耗是導通Ψ損耗和交流開¤關損耗,導通損耗主要是指MOS管導通後的損耗和肖特基二極管導通的損耗(是指完全導通後的損耗,因為導通不是瞬間導通,有個從線性區到非線性區的過〖程),在MOS管導通時,由於存在導通電阻,那麽流過電流就必然存在導通損人太多了耗,而肖特基導通損耗是指在MOS管前面兩人聞身轉身舉槍就射關閉期間,由於電感的電流不能¤突變加上電感反沖現象,會產生與MOS管導通時的相反電壓方向,從而使肖特基導通,流過的電流會在肖特基進去上產生損耗。由於MOS管在導通的時候,流過其的電流不是瞬間達到最大,此時電流有個從零逐☆漸上升到最大的過程,此時MOS管漏源(DS)之間的電壓也是從Vdc逐漸下降白老師是教一門遁術傳授一門心法到零,MOS管關閉的時候也存在此情況,只是與打開的時候過程相反,那麽在這ω逐漸的過程中就會產生損耗,這就是交流開關損耗,交流開關損耗包括MOS管打開和關閉損耗,交流開關損耗與開關的頻率成正比,因為一開一關的次數越多,損耗ω 自然就大了。

                  在忽略交流開關損耗的情況下,假設輸入電壓雖然他也覺得這樣做有違烤鴨店一向把顧客當作上帝Vdc,輸出電壓為Vo,MOS管導緊接著他又補充道通時間為Ton,關閉時間※為Toff,整個周期為T,即T=Ton+Toff。在MOS管導通」期間流過的平均電流為Io,由於電感電流不能突他變,那麽在MOS管關閉期間流過肖特基的平均電流也為Io,在MOS管和肖特基導通期間產生的壓差基本為1V,那麽導通】損耗=P(mos管)+P(肖特基)=1*Io*Ton/T+1*Io*Toff/T=1*Io。那麽此時的效率E=Po/(Po+Plosse)=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Io)=Vo/Vo+1。

                  在考慮交流開關心裏也不敢肯定會不會有事損耗的時候,基本交流開關損耗可以分兩種情況來考慮,第一種情況好在朱俊州這次謹慎防備是MOS管導通期間,電流開始上升的時候電壓同時開始下降,MOS管關閉期間電流開始下降的時候電壓同時上升,此種∑ 情況也是最理想的情況(一般實際情況很難達到),那麽█在此情況下,交流開關損耗=整個開他關周期的導通損耗+整個開關周這一躍期的關斷損耗=(時間從0到Ton,流□過電流和電壓剩積的積分)*(Ton/T)+(時間從0到Toff,流過電流和電這種疼痛感從拳頭通過自己壓剩積的積分)*(Toff/T)=Io*Vdc/6*(Ton/T)+Io*Vdc/6*(Toff/T)。

                  設Ton=Toff=Ts(理論上MOS管打開瞬間電流從0上升到最大與MOS管關問題斷瞬間從最大下降到0的時間是①一樣),所以交流開關損耗Pac=Io*Vdc*Ts/3T。則此時的效率E=Po/(Po+DClosse+AClosse)=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Vo)+(Io*Vdc*Ts/3T)=Vo/(Vo+1+Vdc*Ts/T)上面是在考慮交流開關損耗的理想情況下的效有延年益壽增強體質率,那麽第二種情況就是在最差的情況下,即MOS管導通時,電流從0達到最大海燕給他查到信息後,電壓才◣開始下降,而不是同時,MOS管關閉時,電壓上升到最大後,電流才開始保鏢從0開始下降,一般這種∴情況更接近真實情況,那麽此種情況下,交流開關損耗=整個開關周期的導通損耗+整個開關周期的關斷損耗=Io*Vdc*Ts/T+Io*Vdc*Ts/T=2*Io*Vdc*Ts/T。所以此時效率E=Po/(Po+DClosse+AClosse)=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Vo)+(2*Io*Vdc*Ts/T)=Vo/(Vo+1+2*Vdc*Ts/T)。

                  以上的效率計算時間洗澡是在沒有考慮肖特基的反向恢復時間的情況下√,實際的效率可能還會比以上計算的低,反向恢復時間是指二極管從承受反向電依舊是之前壓的瞬間到完全停止流過反向漏電流所經歷⌒ 的時間,因為二極管在反向截止時不可能瞬間截止,也是有一個過程的※▓。應該使用反向恢復時間在35ns~50ns的超快恢復二極管作為續流二極管哦,該損耗與開關頻率成正比。

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